18922924269
語言切換 
中文
HIPiMS 技術(shù)制備的薄膜具有哪些獨(dú)特的性能？
HIPiMS技術(shù)制備的薄膜具有以下獨(dú)特性能：HIPiMS技術(shù)能產(chǎn)生高密度的等離子體，使濺射出來的粒子具有較高的能量和活性，粒子在沉積到基底上時(shí)能夠更緊密地堆積，形成致密度很高的薄膜
陰極電弧鍍膜機(jī)是什么東西
陰極電弧鍍膜機(jī)是一種物理 氣相沉積(PVD)技術(shù)設(shè)備，主要用于在基材表面形成高質(zhì)量的薄膜涂層。這項(xiàng)技術(shù)通過利用電弧放電產(chǎn)生的等離子體，將靶材（通常是金屬或合金）蒸發(fā)成原子狀態(tài)，然后這些原子沉積到待處理的工件表面
什么是真空鍍膜，它有什么作用
真空鍍膜技術(shù)是一種在真空條件下，利用物理或化學(xué)方法將材料蒸發(fā)或離子化后沉積于基材表面形成薄膜的過程。這種方法廣泛應(yīng)用于光學(xué)、電子、包裝、裝飾等行業(yè)，具有許多優(yōu)點(diǎn)，如薄膜均勻性好、附著力強(qiáng)、厚度可控等。
HiPIMS電源的設(shè)計(jì)基礎(chǔ)及研究進(jìn)展
HiPIMS（High Power Impulse Magnetron Sputtering）是一種物理 氣相沉積（Physical Vapor Deposition, PVD）技術(shù)，它通過高頻脈沖放電在磁控濺射靶材表面產(chǎn)生強(qiáng)烈的等離子體，從而實(shí)現(xiàn)的材料沉積。HiPIMS技術(shù)的關(guān)鍵在于其電源設(shè)計(jì)，因?yàn)殡娫葱阅苤苯佑绊懙降入x子體密度、薄膜質(zhì)量和沉積速率等重要參數(shù)。
PECVD防護(hù)技術(shù)有哪些優(yōu)勢(shì)？
PECVD（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積）是一種用于沉積薄膜的技術(shù)，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體制造、太陽能電池板生產(chǎn)、顯示器制造等領(lǐng)域。PECVD相比傳統(tǒng)CVD（Chemical Vapor Deposition，化學(xué)氣相沉積）技術(shù)具有多項(xiàng)優(yōu)勢(shì)，特別是在防護(hù)性方面，具體如下：
HiPIMS放電制備純金屬薄膜的優(yōu)勢(shì)
HiPIMS（High-Power Impulse Magnetron Sputtering，高功率脈沖磁控濺射）它在制備純金屬薄膜方面展現(xiàn)出了顯著的優(yōu)勢(shì)。下面列舉了一些主要的優(yōu)點(diǎn)：