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高能脈沖PVD技術(shù)相比傳統(tǒng)PVD有何優(yōu)勢(shì)？
致密度更高：高能脈沖PVD在沉積過(guò)程中，能夠產(chǎn)生高密度的等離子體，使沉積粒子具有更高的能量，從而在基底上形成更致密的膜層。例如，在制備硬質(zhì)涂層時(shí)，其形成的膜層結(jié)構(gòu)更加緊密
高能脈沖PVD技術(shù)可以制備哪些膜層？
如氮化鈦（TiN）膜層。TiN具有高硬度、良好的耐磨性和化學(xué)穩(wěn)定性。在刀具涂層領(lǐng)域應(yīng)用廣泛，通過(guò)高能脈沖PVD技術(shù)制備的TiN膜層，能夠顯著提高刀具的使用壽命。
高能脈沖 PVD 的基本物理原理是什么？
PVD是在高溫下將靶材蒸發(fā)后沉積到工件表面形成鍍膜的技術(shù)。高能脈沖PVD是PVD技術(shù)的一種改進(jìn)形式，它的基本物理原理如下：
HiPIMS磁控濺射：材料制備的新趨勢(shì)
HiPIMS磁控濺射技術(shù)具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)。與傳統(tǒng)磁控濺射相比，它能在高功率脈沖模式下運(yùn)行，產(chǎn)生高密度的等離子體。這使得濺射出來(lái)的原子或離子具有更高的能量和活性，在材料沉積過(guò)程中，可以更好地控制薄膜的微觀結(jié)構(gòu)
真空鍍膜技術(shù)中，薄膜厚度的測(cè)量和控制是如何實(shí)現(xiàn)的？
這是一種常用的測(cè)量方法。其原理是基于光的干涉現(xiàn)象。當(dāng)一束光照射到薄膜表面時(shí)，部分光被反射，部分光透過(guò)薄膜在基底和薄膜的界面再次反射，這兩束反射光會(huì)發(fā)生干涉。通過(guò)檢測(cè)干涉條紋的變化來(lái)確定薄膜的厚度。
如何控制和優(yōu)化真空鍍膜參數(shù)以獲得較佳的效果
蒸發(fā)源溫度是關(guān)鍵參數(shù)。對(duì)于不同的鍍膜材料，有其特定的蒸發(fā)溫度范圍。如蒸發(fā)金屬鋁，溫度一般在1200-1400℃。通過(guò)溫度傳感器和反饋控制系統(tǒng)，如熱電偶結(jié)合PID控制器，能控制溫度。溫度過(guò)高可能導(dǎo)致材料過(guò)度蒸發(fā)，