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真空鍍膜和電鍍的區(qū)別
真空鍍膜和電鍍作為兩種常見(jiàn)的表面處理技術(shù)，在多個(gè)方面存在顯著的區(qū)別。以下是對(duì)兩者區(qū)別的詳細(xì)闡述：
HIPIMS放電等離子體特性
通過(guò)脈沖電源產(chǎn)生高密度等離子體來(lái)濺射靶材，從而在基材上沉積高質(zhì)量的薄膜。HIPIMS技術(shù)相比于傳統(tǒng)的直流磁控濺射技術(shù)，能夠提供更高的離子化率、更好的薄膜質(zhì)量和更強(qiáng)的薄膜與基底間的附著力。下面我們來(lái)探討HIPIMS放電等離子體的主要特性。
HIPIMS技術(shù)沉積TiSiN納米復(fù)合涂層探究
HIPIMS（High Power Impulse Magnetron Sputtering，高功率脈沖磁控濺射）薄膜沉積方法，它在沉積TiSiN納米復(fù)合涂層方面展現(xiàn)出顯著的優(yōu)勢(shì)。與傳統(tǒng)的直流磁控濺射（DCMS）技術(shù)相比，
hipims脈沖電源與DC優(yōu)勢(shì)
HiPIMS（High Power Impulse Magnetron Sputtering）脈沖電源與DC（Direct Current）電源相比，在多個(gè)方面展現(xiàn)出顯著的優(yōu)勢(shì)。以下是對(duì)這些優(yōu)勢(shì)的詳細(xì)分析：
HIPIMS技術(shù)在金屬雙極板涂層中的應(yīng)用
HIPIMS技術(shù)，即高功率脈沖磁控濺射技術(shù)（High Power Impulse Magnetron Sputtering），在金屬雙極板涂層中的應(yīng)用具有顯著的優(yōu)勢(shì)
真空鍍膜工藝流程:技術(shù)概述、參數(shù)控制與質(zhì)量影響
真空鍍膜工藝是一種常用的表面處理技術(shù)，可以在材料表面形成一層高質(zhì)量、均勻的薄膜。其工藝流程包括清洗、加熱、真空抽氣、沉積、
利用HiPIMS制備出的Ti-Si-N薄膜硬度可以達(dá)到66GPa！
Ti-Si-N是被認(rèn)為是一種高硬度的膜層，Veprek（1999）提出了一種結(jié)構(gòu)模型，認(rèn)為是非晶包含納米晶結(jié)構(gòu)。這有點(diǎn)類(lèi)似于我們見(jiàn)到的瀝青和石頭混合路面結(jié)構(gòu)。這里的納米晶尺寸和非晶含量的多少是很講究的。
HiPIMS技術(shù)解決碳基涂層
HiPIMS（High Power Impulse Magnetron Sputtering）技術(shù)是一種先進(jìn)的物理相沉積（PVD）技術(shù)，廣泛用于解決碳基涂層的相關(guān)問(wèn)題。碳基涂層是一種重要的功能性涂層，應(yīng)用于各種工業(yè)領(lǐng)域，包括刀具、模具、汽車(chē)零部件等。下面將詳細(xì)介紹HiPIMS技術(shù)如何解決碳基涂層的問(wèn)題。