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新HiPIMS放電模式制備薄膜表面粗糙度僅為4.123nm

為獲得HiPIMS的高離化率-高沉積速率技術(shù)特征，我們在研究中提出一種新型的HiPIMS放電模式，即電-磁場協(xié)同增強(qiáng)HiPIMS技術(shù)，該技術(shù)以外置電場和磁場雙場協(xié)同增強(qiáng)常規(guī)HiPIMS放電，增加濺射粒子離化率，改善薄膜的的沉積速率，制備的膜層性能優(yōu)異。

雙脈沖HiPIMS比傳統(tǒng)HiPIMS沉積速率提高近3倍

一種新型的高功率脈沖磁控濺射(HiPIMS)技術(shù)，即放電由脈寬短、電壓高的引燃脈沖和脈寬長、電壓低的工作脈沖2部分組成的雙脈沖高功率脈沖磁控濺射技術(shù)，目的是解決傳統(tǒng)高功率脈沖磁控濺射沉積速率低的問題。

真空電源從“Nokia”到“Iphone”

2023中國真空鍍膜行業(yè)發(fā)展趨勢高峰論壇圓滿落下帷幕

脈沖磁控濺射的工作原理和工作方式

脈沖磁控濺射是采用矩形波電壓的脈沖電源代替?zhèn)鹘y(tǒng)直流電源進(jìn)行磁控濺射沉積。脈沖磁控濺射技術(shù)可以有效的抑制電弧產(chǎn)生進(jìn)而消除由此產(chǎn)生的薄膜缺陷，同時(shí)可以提高濺射沉積速率，降低沉積溫度等一系列顯著優(yōu)點(diǎn)。