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采用脈沖直流PECVD工藝在長管內沉積DLC膜層
管道作為一種流體運輸工具，管道內表面經(jīng)常暴露在復雜的介質中。這些流體中存在的污染物或腐蝕性元素會導致管道內壁腐蝕破損，每年都會造成巨大的經(jīng)濟損失。
利用HiPIMS制備出的Ti-Si-N薄膜硬度可以達到66GPa！
Ti-Si-N是被認為是一種高硬度的膜層，Veprek（1999）提出了一種結構模型，認為是非晶包含納米晶結構。這有點類似于我們見到的瀝青和石頭混合路面結構。這里的納米晶尺寸和非晶含量的多少是很講究的。太多不行，太少也不行。
雙極HiPIMS調控薄膜生長過程中的離子能量
高功率脈沖磁控濺射技術（HiPIMS）相比傳統(tǒng)直流磁控濺(DCMS)，HiPIMS具有高等離子體密度、高金屬離化率，更高的離子流密度。但對于優(yōu)異的薄膜生長來說，僅有高離子流密度還遠遠不夠，為獲得更快的生長速率與致密的膜層質量，到達基底的離子能量也至關重要。
HiPIMS脈沖波形對輝光放電特性的影響
HiPIMS電源屬于脈沖電源的一種，通過降低占空比到低于10%，在相同功率情況下，可以使得磁控濺射峰值電流三個數(shù)量級的增加，本文將介紹脈沖波形對于輝光放電特性的影響，為控制不同靶材輝光特性及工藝優(yōu)化提供參考。
雙極HiPIMS調控生長高致密性銅薄膜
正如前文“雙極HiPIMS調控薄膜生長過程中的離子能量”中我們講到對于HiPIMS放電在負向脈沖放電完成后加一定正向脈沖，可以提高HiPIMS放電后的等離子體電勢，從而加速到達基底的離子的能量，提高薄膜生長速率與質量。
管筒內壁真空鍍膜方法簡介
管筒內表面處理的方式最早采用的是電鍍方法，但電解液污染環(huán)境。后來采用真空鍍膜方法來處理管狀構件內表面，包括化學氣相沉積( Chemical Vapor Deposition，CVD)和物理氣相沉積( Physical Vapor Deposition，PVD)。
六甲基二硅氧烷（HMDSO）前驅體制備耐腐蝕薄膜
金屬制品是生活中不可或缺的，大到輪船飛機，小到鐵釘螺絲?，F(xiàn)代工業(yè)的發(fā)展，是以金屬為骨骼，但是金屬在使用過程中極易腐蝕。防腐蝕工藝有很多種，真空鍍膜就是其一。